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霍尔效应实验装置

霍尔效应实验装置测量了矩形锗样品的电阻率和霍尔电压随温度和磁场的变化规律。带间距、⽐电导率、载流⼦的类型和载流⼦的迁移率由测量结果确定。
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优势

  • 霍尔效应单元控制温度,电压,并⽀持固有的p型和n型锗晶体

  • 计算机控制的版本和数据采集

  • 通过USB连接直接连接到PC,不需要额外的接⼝

  • 磁场传感器可与霍尔效应单元直接连接


实验原理

测量了矩形锗样品的电阻率和霍尔电压随温度和磁场的变化规律。带间距、⽐电导率、载流⼦的类型和载流⼦的迁移率由测量结果确定。


实验任务

  • 在室温和恒定磁场下测量霍尔电压作为控制电流的函数,并绘制在图上(测量时不补偿缺陷电压)。

  • 在室温和恒定控制电流下测量样品上的电压作为磁感应强度B的函数。

  • 在恒定的控制电流下测量样品上的电压作为温度的函数。根据测量结果计算锗的能带间距。

  • 在室温下测量霍尔电压U作为磁感应强度B的函数。根据测量结果计算出载流⼦的载流⼦符号、霍尔常数R、霍尔迁移率μ和载流⼦浓度p。

  • 在恒定磁感应强度B下测量霍尔电压U作为温度的函数,并将其值绘制在图上。


学习⽬标

  • 半导体

  • 能带理论

  • 禁区

  • 内在的电导率

  • ⾮本征电导率

  • 价带

  • 导带

  • 洛伦兹⼒

  • 磁阻

  • 流动性

  • 导电率

  • 带间距

  • 霍尔系数


包含软件,不提供计算机


供货范围

PHYWE 霍尔效应实验装置HU2                                    11801-01     1

measureLAB多⽤户许可证                                           14580-61     1

霍尔效应,p-Ge,载体板                                             11805-01     1

霍尔效应,n-Ge,载体板                                             11802-01     1

线圈,600匝                                                                06514-01     2

铁芯, U型,层压                                                          06501-00     1

⼀对极⽚,平⾯,30×30×48mm                                 06489-00     1

霍尔探头,切向,保护帽                                              13610-02     1

PHYWE电源 ,230V,DC:0...12V,2A/AC:6V,12V,5A          13506-93     1

PHYWE三脚架底座                                                      02002-55     1

⽴杆,不锈钢,各种尺⼨                                              02031-00     1

带⽀点螺丝直⾓夹具                                                     02054-00     1

连接电缆,32A,红⾊,各种长度                                 07361-01     2

连接电缆,32A,蓝⾊,各种长度                                 07361-04     1

连接电缆,32A,⿊⾊,各种长度                                 07362-05     2